大電流PMOS管 120P03 TO-252 大功率MOS 30V/120A 低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管
大電流PMOS管 120P03的引腳圖:
大電流PMOS管 120P03的特點(diǎn):
VDS=-30V
ID=-120A
RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V
大電流PMOS管 120P03的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-30V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:-120A
漏極電流-脈沖 IDM:-400A
單脈沖雪崩能量 EAS:225mJ
總耗散功率 PD:103W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:1.46℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~175℃
大電流PMOS管 120P03的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 3.8 | 5.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 5.8 | 8.2 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 42 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 8.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 11.2 | |||
Ciss | 輸入電容 | 9400 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 1000 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 767 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 15 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 16 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 69 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 27 |