場(chǎng)效應(yīng)管報(bào)價(jià) 10G06 PDFN5X6-8L 60VN+P溝道MOS管 電源MOSFET
電源MOSFET 10G06的產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=60V
ID=10A
RDS(ON)＜40mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-60V
ID=-9.5A
RDS(ON)＜70mΩ@VGS=-10V
電源MOSFET 10G06的引腳圖：
電源MOSFET 10G06的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | -60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 10 | -9.5 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 5.2 | -4.3 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 30 | -27 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 25.5 | 35.3 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 22.6 | -26.6 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 36 | 36 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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