國產(chǎn)MOS選型 20G03 PDFN5X6-8L 低內(nèi)阻N+PMOS 馬達(dá)用場效應(yīng)管
低內(nèi)阻N+PMOS 20G03的管腳圖：
低內(nèi)阻N+PMOS 20G03的產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=28A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-19.7A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V
低內(nèi)阻N+PMOS 20G03的用途：
無線充電
無刷馬達(dá)
低內(nèi)阻N+PMOS 20G03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 28 | -19.7 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 22.5 | -17.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 84 | -59.1 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 89 | 78 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 34 | 33.1 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
