宇芯微 30V 低壓N+PMOS管 8G03 ESOP-8 無線充用MOS MOSFET絲印
低壓N+PMOS管 8G03的特點:
1、N-CH:
VDS=30V
ID=9.8A
RDS(ON)<18mΩ@VGS=10V
2、P-CH:
VDS=-30V
ID=-7.6A
RDS(ON)<30mΩ@VGS=-10V
低壓N+PMOS管 8G03的應(yīng)用領(lǐng)域:
無線充電
無刷馬達
低壓N+PMOS管 8G03的引腳圖:
低壓N+PMOS管 8G03的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
N-CH | P-CH | |||
VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 9.8 | -7.6 | A |
漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 6 | -5.9 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 20 | -15 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 22 | 45 | mJ |
IAS | 單脈沖雪崩電流 | 21 | 30 | A |
PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 2 | 2 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | 62 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 |
低壓N+PMOS管 8G03的封裝外形尺寸圖: