低壓雙NMOS管 8809 DFN2X3-6L 貼片MOSFET 9mΩ 低內(nèi)阻場效應(yīng)管
低壓雙NMOS管 8809的管腳圖：
低壓雙NMOS管 8809的產(chǎn)品特點：
VDS=20V
ID=9.5A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=4.5V
封裝：DFN2X3-6L
低壓雙NMOS管 8809的用途：
電池保護
負載開關(guān)
UPS 不間斷電源
低壓雙NMOS管 8809的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 9.5 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 60 | |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.56 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 80 | ℃/W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
低壓雙NMOS管 8809的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 6.3 | 7.8 | 9 | mΩ |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4V,ID=5A | 6.5 | 8 | 9.5 | ||
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=3.7V,ID=5A | 6.7 | 8.2 | 10 | ||
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=3.1V,ID=5A | 7.1 | 8.7 | 11.2 | ||
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=5A | 8 | 10.5 | 13.5 | ||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.45 | 1.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±10 | uA | ||
| gfs | 正向跨導 | 38 | S | ||
| Qg | 柵極電荷(4.5V) | 22 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1647 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 170 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 148 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 39.5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 65 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 30 |
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