低壓N+NMOS管 12H02 TSSOP-8 電源用MOS管 20V/12A
低壓N+NMOS管 12H02的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=20V
ID=12A
RDS(ON)＜11mΩ@VGS=4.5V
高功率和電流處理能力
封裝：TSSOP-8
低壓N+NMOS管 12H02的用途：
功率切換應(yīng)用程序
硬開關(guān)和高頻電路
UPS 不間斷電源
低壓N+NMOS管 12H02的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 12 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 80 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 7.2 | mJ |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 15.6 | W |
| 總耗散功率 (TA=25℃) | 5 | ||
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
低壓N+NMOS管 12H02的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 10 | 12.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=12A | 12 | 19 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 1.2 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 50 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 16 | 25.6 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1400 | 2240 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 170 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 135 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 28 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7 |
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