國產(chǎn)替代MOS 650V/20A 20N65 TO-220F UPS用 塑封MOSFET
國產(chǎn)替代MOS 20N65的場效應(yīng)管:
VDS=650V
ID=20A
RDS(ON)<0.45Ω@VGS=10V
封裝:TO-220F
國產(chǎn)替代MOS 20N65的用途:
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
國產(chǎn)替代MOS 20N65的極限值:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 20 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 80 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 1350 | mJ |
PD | 總耗散功率 | 120 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.04 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
國產(chǎn)替代MOS 20N65的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 0.35 | 0.45 | Ω | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 4 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 80 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 34 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2978 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 291 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 40 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 37 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 66 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 175 | |||
tf | 開啟下降時間 | 84 |