電源管理MOS管 13N65 TO-220 650V場(chǎng)效應(yīng)管 高壓MOS參數(shù)
650V場(chǎng)效應(yīng)管 13N65的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=650V
ID=13A
RDS(ON)＜0.5Ω@VGS=10V
封裝：TO-220
650V場(chǎng)效應(yīng)管 13N65的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：650V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續(xù) ID：13A
漏極電流-脈沖 IDM：48A
單脈沖雪崩能量 EAS：550mJ
總耗散功率 PD：120W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.04℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：100℃/W
650V場(chǎng)效應(yīng)管 13N65的電特性：
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=6A | 0.5 | Ω | ||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 12 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 14 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 160 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 18 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 28 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 26 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 64 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 45 |
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