650VNMOS 國(guó)產(chǎn)高電壓MOS 13N65 TO-220F 高頻電路場(chǎng)效應(yīng)管
650VNMOS 13N65的應(yīng)用領(lǐng)域：
硬開關(guān)和高頻電路
功率切換應(yīng)用程序
UPS 不間斷電源
650VNMOS 13N65的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 13 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 48 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 550 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 120 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 100 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.04 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
650VNMOS 13N65的電特性：
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=6A | 0.5 | Ω | ||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 12 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 14 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 160 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 18 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 28 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 26 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 64 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 45 |
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