國(guó)產(chǎn) 高壓塑封MOS 10N65 TO-220F 插件式場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管絲印
高壓塑封MOS 10N65的用途：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
高壓塑封MOS 10N65的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：650V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續(xù) ID：10A
漏極電流-脈沖 IDM：38A
單脈沖雪崩能量 EAS：562mJ
雪崩電流 IAR：7.5A
重復(fù)雪崩能量 EAR：45mJ
總耗散功率 PD：65W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.29℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W
高壓塑封MOS 10N65的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TA=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 0.65 | 0.8 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 35 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 18 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1264 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 149 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 18 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 23 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 18 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 90 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 30 |
高壓塑封MOS 10N65的封裝外形尺寸圖：
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