LED用場(chǎng)效應(yīng)管 20N50 TO-220F 500V 國(guó)產(chǎn)MOSFET MOS應(yīng)用參數(shù)
LED用場(chǎng)效應(yīng)管 20N50的產(chǎn)品特點(diǎn):
VDS=500V
ID=20V
RDS(ON)<0.3Ω@VGS=10V
封裝:TO-220F
LED用場(chǎng)效應(yīng)管 20N50的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:500V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續(xù) ID:20A
漏極電流-脈沖 IDM:80A
單脈沖雪崩能量 EAS:1200mJ
總耗散功率 PD:45W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ:150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:2.78℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W
LED用場(chǎng)效應(yīng)管 20N50的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TA=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | 540 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 0.23 | 0.3 | Ω | |
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3.2 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 54.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 13.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 18.7 | |||
Ciss | 輸入電容 | 3059 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 291 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 16 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 37 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 70 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 89 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 49 |
LED用場(chǎng)效應(yīng)管 20N50的封裝外形尺寸圖: