宇芯微 500V/5A 塑封MOSFET 5N50 TO-220F 同步整流MOS管
塑封MOSFET 5N50的產(chǎn)品特點(diǎn)：
高雪崩能量
極低的開關(guān)損耗
VDS=500V
ID=5A
RDS(ON)＜1.2Ω@VGS=10V
封裝：TO-220F
塑封MOSFET 5N50的用途：
消費(fèi)電子電源電機(jī)控制器
同步整流
同步整流應(yīng)用程序
塑封MOSFET 5N50的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：500V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續(xù) ID：5A
漏極電流-脈沖 IDM：28A
單脈沖雪崩能量 EAS：176mJ
雪崩電流 IAR：4.2A
重復(fù)雪崩能量 EAR：35mJ
總耗散功率 PD：83W
存儲溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.3℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W
塑封MOSFET 5N50的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=3.5A | 1 | 1.2 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 700 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 94 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 12 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 13 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 25 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 76 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 40 |
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