電源用國產(chǎn)MOS 5N30 TO-252 300VNMOS管 場效應(yīng)管價格
電源用國產(chǎn)MOS 5N30的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 300 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±25 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 5 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 20 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 50 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 3.2 | A |
| EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 1.5 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 58.7 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.13 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
電源用國產(chǎn)MOS 5N30的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 300 | 330 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2.5A | 1.2 | 1.5 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8.4 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 291 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 43 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 7 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 20 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 50 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 70 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 53 |
電源用國產(chǎn)MOS 5N30的封裝外形尺寸圖：
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
