250V/50A NMOS 高壓MOSFET 50N25 TO-247 大封裝MOS管
高壓MOSFET 50N25的特點(diǎn)：
VDS=250V
ID=50A
RDS(ON)＜85mΩ@VGS=10V
封裝：TO-247
高壓MOSFET 50N25的應(yīng)用領(lǐng)域：
功率放大器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
高壓MOSFET 50N25的極限值：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：250V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續(xù) ID：50A
漏極電流-脈沖 IDM：180A
單脈沖雪崩能量 EAS：973mJ
雪崩電流 IAS：36A
重復(fù)雪崩能量 EAR：584mJ
總耗散功率 PD：65W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.89℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：60℃/W
高壓MOSFET 50N25的電特性：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 250 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=22.5A | 70 | 85 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 244 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 143 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3539 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 535 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 309 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 57 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 145 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 960 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 235 |
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