常用P溝道MOS管 -200V/-9A 9P20 TO-252 驅(qū)動用場效應(yīng)管
常用P溝道MOS管 9P20的特點：
VDS=-200V
ID=-9A
RDS(ON)＜0.75Ω@VGS=-10V
封裝：TO-252
常用P溝道MOS管 9P20的用途：
功率放大器
電機(jī)驅(qū)動
常用P溝道MOS管 9P20的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -200 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -8.7 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -3.6 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -22.8 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 570 | mJ |
| IAR | 重復(fù)雪崩電流 | -8.7 | A |
| EAR | 觸發(fā)雪崩能量 | 5.5 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 55 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 110 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.2 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
常用P溝道MOS管 9P20的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -200 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-4A | 0.625 | 0.75 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -2 | -3.5 | -4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 1.1 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 20 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 590 | 770 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 140 | 180 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 25 | 35 | ||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 8.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 27 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 7.3 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 19 |
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