P溝道MOS管 4P20 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 功率放大器MOS
P溝道MOS管 4P20的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=-200V
ID=-4A
RDS(ON)＜1.7Ω@VGS=-10V
封裝：TO-252
P溝道MOS管 4P20的用途：
功率放大器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
P溝道MOS管 4P20的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-200V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-4A
漏極電流-脈沖 IDM：-14A
單脈沖雪崩能量 EAS：310mJ
重復(fù)雪崩能量 EAR：4.2mJ
總耗散功率 PD：42W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：3℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：110℃/W
P溝道MOS管 4P20的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -200 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-2A | 1.4 | 1.7 | Ω | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-5.5V,ID=-1A | 1.8 | 2.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -2 | -3.5 | -4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 1.1 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 20 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 340 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 110 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 33 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 8.8 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 27 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 7.3 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 19 |
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