宇芯微 40N20 TO-247 200V/40A 增強(qiáng)型NMOS管 低內(nèi)阻替代MOS
增強(qiáng)型NMOS管 40N20的應(yīng)用領(lǐng)域:
功率放大器
電機(jī)驅(qū)動
增強(qiáng)型NMOS管 40N20的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:200V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續(xù) ID:40A
漏極電流-脈沖 IDM:120A
單脈沖雪崩能量 EAS:588mJ
總耗散功率 PD:158W
存儲溫度 TSTG:-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.79℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62.5℃/W
增強(qiáng)型NMOS管 40N20的電特性:
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=14A | 60 | 80 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 103 | 136 | nC | |
Qgs | 柵源電荷密度 | 16 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 53 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2879 | 3742 | pF | |
Coss | 輸出電容 | 362 | 470 | ||
Crss | 反向傳輸電容 | 81 | 105 | ||
td(on) | 開啟延遲時間 | 28 | 69 | ns | |
tr | 開啟上升時間 | 251 | 494 | ||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 309 | 617 | ||
tf | 開啟下降時間 | 220 | 412 |
增強(qiáng)型NMOS管 40N20的封裝外形尺寸圖: