200V國產(chǎn)MOS 5N20 TO-252 UPS用場效應管 NMOS
200V國產(chǎn)MOS 5N20的特點:
VDS=200V
ID=5A
RDS(ON)<0.58Ω@VGS=10V
封裝:TO-252
200V國產(chǎn)MOS 5N20的用途:
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
200V國產(chǎn)MOS 5N20的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 200 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 5 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 20 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 45 | mJ |
IAR | 雪崩電流 | 3 | A |
PD | 總耗散功率 | 46 | W |
RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 60 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.7 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~150 |
200V國產(chǎn)MOS 5N20的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2.5A | 0.42 | 0.58 | Ω | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 18 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 9.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 228 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 48 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 17 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 19 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 43 | |||
tf | 開啟下降時間 | 32 |