100VNMOS 170N10 TO-263 低內阻場效應管 應用于消費電子
100VNMOS 170N10的產品特點:
低內阻
極低的開關損耗
封裝:TO-263
100VNMOS 170N10的用途:
消費電子電源
同步整流
同步整流應用程序
100VNMOS 170N10的極限值:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 170 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 540 | |
PD | 總耗散功率 | 375 | W |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 1000 | mJ |
RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 0.33 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~150 |
100VNMOS 170N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 2.5 | 3 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 158.8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 38.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 41.6 | |||
Ciss | 輸入電容 | 10952.7 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 1402.2 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 33.3 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 40.7 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 31.4 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 75.4 | |||
tf | 開啟下降時間 | 16.2 |