低內(nèi)阻NMOSFET 60N10 DFN5X6-8L 大功率MOS管 國(guó)產(chǎn)MOS管廠家
大功率MOS管 60N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
低內(nèi)阻
極低的開(kāi)關(guān)損耗
封裝：DFN5X6-8L
大功率MOS管 60N10的產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：
消費(fèi)電子電源
馬達(dá)控制
同步整流
大功率MOS管 60N10的引腳圖：
大功率MOS管 60N10的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：60A
漏極電流-脈沖 IDM：210A
單脈沖雪崩能量 EAS：100mJ
總耗散功率 PD：125W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作溫度 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1℃/W
大功率MOS管 60N10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 8.5 | 10 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 9.5 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 49.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 12.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2604 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 361.2 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 6.5 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 20.6 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 51.8 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 9 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
