同步整流MOS管 40N10 TO-252 國產替代場效應管 大芯片 MOSFET參數
同步整流MOS管 40N10的應用領域:
消費電子電源
馬達控制
同步整流
同步整流MOS管 40N10的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:40A
漏極電流-脈沖 IDM:120A
單脈沖雪崩能量 EAS:57mJ
總耗散功率 PD:71W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作溫度 TJ:-55~150℃
結到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:1.76℃/W
同步整流MOS管 40N10的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 13.8 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 17.4 | 26 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 16.2 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.1 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1003.9 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 185.4 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 9.8 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 16.8 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 3.8 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 75.5 | |||
tf | 開啟下降時間 | 46 |