馬達(dá)控制MOS管 20N10 TO-252 100V/20A 中低壓MOS 大芯片場(chǎng)效應(yīng)管
馬達(dá)控制MOS管 20N10的產(chǎn)品特點(diǎn):
低內(nèi)阻
極低的開關(guān)損耗
封裝:TO-252
馬達(dá)控制MOS管 20N10的用途:
消費(fèi)電子電源
馬達(dá)控制
同步整流
同步整流應(yīng)用程序
馬達(dá)控制MOS管 20N10的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:20A
漏極電流-脈沖 IDM:45A
單脈沖雪崩能量 EAS:4.2mJ
總耗散功率 PD:17W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作溫度 TJ:-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:7.4℃/W
馬達(dá)控制MOS管 20N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 55 | 75 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 112 | 300 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.7 | 3 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 7.6 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.4 | |||
Ciss | 輸入電容 | 429.4 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 58.3 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 2.9 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 15.6 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 14.2 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 26.8 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 3.6 |