功率場效應(yīng)管 20mΩ 57N10 TO-263 大電流NMOS 國內(nèi)MOSFET
大電流NMOS 57N10的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護
負載開關(guān)
UPS不間斷電源
大電流NMOS 57N10的極限值:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:57A
漏極電流-脈沖 IDM:120A
單脈沖雪崩能量 EAS:30mJ
總耗散功率 PD:72W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作溫度 TJ:-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:1.74℃/W
大電流NMOS 57N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=8A | 14 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 18 | 26 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 19.8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.3 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1190.6 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 194.6 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 4.1 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 17.8 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 3.9 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 33.5 | |||
tf | 開啟下降時間 | 3.2 |
大電流NMOS 57N10的封裝外形尺寸圖: