100V/55A 負(fù)載開關(guān)MOS管 55N10 TO-220 插件MOSFET 大芯片場效應(yīng)管
負(fù)載開關(guān)MOS管 55N10的產(chǎn)品應(yīng)用:
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
負(fù)載開關(guān)MOS管 55N10的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 55 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 110 | |
PD | 總耗散功率 | 50 | W |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 57 | mJ |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
負(fù)載開關(guān)MOS管 55N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 15 | 21 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 20 | 26 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.4 | 2.5 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 16.2 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.1 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1003.9 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 185.4 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 9.8 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 16.6 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 3.8 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 75.5 | |||
tf | 開啟下降時間 | 46 |