國(guó)產(chǎn)MOS管選型 低壓MOS管 25N10 TO-252 電源用NMOS
國(guó)產(chǎn)MOS管選型 25N10的特點(diǎn):
VDS=100V
ID=25A
RDS(ON)<55mΩ@VGS=10V
封裝:SOP-8
國(guó)產(chǎn)MOS管選型 25N10的用途:
消費(fèi)電子電源電機(jī)控制
同步整流
同步整流應(yīng)用
國(guó)產(chǎn)MOS管選型 25N10的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù)ID:25A
漏極電流-脈沖 IDM:60A
總耗散功率 PD:44.6W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作溫度 TJ:-55~150℃
國(guó)產(chǎn)MOS管選型 25N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A | 55 | mΩ | ||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=5V,ID=8A | 85 | ||||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.9 | 2.5 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 13.5 | 21.6 | nC | |
Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 9 | |||
Ciss | 輸入電容 | 840 | 1340 | pF | |
Coss | 輸出電容 | 115 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 80 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 6.5 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 18 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 5 |