100V/25A 55mΩ N型MOS管 25N10 SOP8 同步整流MOS 國(guó)產(chǎn)大芯片 場(chǎng)效應(yīng)管
N型MOS管 25N10的產(chǎn)品應(yīng)用：
消費(fèi)電子電源電機(jī)控制
同步整流
同步整流應(yīng)用
N型MOS管 25N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=25A
RDS(ON)＜55mΩ@VGS=10V
封裝：SOP-8
N型MOS管 25N10的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù)ID：25A
漏極電流-脈沖 IDM：60A
總耗散功率 PD：44.6W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作溫度 TJ：-55~150℃
N型MOS管 25N10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A | 55 | mΩ | ||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=5V,ID=8A | 85 | ||||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.9 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 13.5 | 21.6 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 840 | 1340 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 115 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 80 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 6.5 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 18 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 5 |
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