宇芯微100V/14.1A場(chǎng)效應(yīng)管 常用低壓MOS管 15N10D-L TO-252 電源開關(guān)MOS管
常用低壓MOS管 15N10D-L的產(chǎn)品應(yīng)用:
開關(guān)電源
DC/DC 轉(zhuǎn)換器
常用低壓MOS管 15N10D-L的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 14.1 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 8.1 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 28 | |
PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 20.8 | W |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 8 | mJ |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 6 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
常用低壓MOS管 15N10D-L的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 88 | 105 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=8A | 93 | 125 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 12 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 610 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 40 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 25 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 7 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 5 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 16 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 6 |