國(guó)產(chǎn) 100VNMOS管 3N10 SOT-23 電源用小MOS 場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用領(lǐng)域
電源用小MOS 3N10的特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=2.8A
RDS(ON)＜320mΩ@VGS=10V
封裝：SOT-23
電源用小MOS 3N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
電源用小MOS 3N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 2.8 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | 1 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 5 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 80 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
電源用小MOS 3N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1A | 260 | 310 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=0.5A | 270 | 320 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9.7 | 13.6 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | 2.2 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.7 | 2.4 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 508 | 711 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 29 | 41 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 16.4 | 23 | ||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 1.6 | 3.2 | ns | |
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 19 | 34 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 13.6 | 27 | ||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 19 | 38 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
