85V低壓NMOS 120N08 TO-220 插件國產(chǎn)MOS 大功率場效應(yīng)管
85V低壓NMOS 120N08的特點(diǎn)：
VDS=85V
ID=120A
RDS(ON)＜5.2mΩ@VGS=10V
封裝：TO-220
85V低壓NMOS 120N08的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
85V低壓NMOS 120N08的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 85 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 120 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 100 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 480 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 220 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 560 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 53.4 | A |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
85V低壓NMOS 120N08的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 85 | 92 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃ | 4.5 | 5.2 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | 100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 65.7 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 24.9 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 13.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4032 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 546 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 35 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 20.1 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 38 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 45.1 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 21 |
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