硬開關(guān)用NMOS 80N07 TO-263 MOS管封裝絲印 國產(chǎn)低壓場(chǎng)效應(yīng)管
硬開關(guān)用NMOS 80N07的特點(diǎn):
VDS=72V
ID=80A
RDS(ON)<6.8mΩ@VGS=10V
封裝:TO-263
硬開關(guān)用NMOS 80N07的用途:
功率切換應(yīng)用程序
硬開關(guān)和高頻電路
UPS不間斷電源
硬開關(guān)用NMOS 80N07的極限參數(shù):
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 72 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 76 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 310 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 400 | mJ |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 181 | W |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~175 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 |
硬開關(guān)用NMOS 80N07的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 72 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 7.2 | 8 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
Qg | 柵極電荷 | 90 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 18 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 28 | |||
Ciss | 輸入電容 | 3150 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 300 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 240 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 18.2 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 15.6 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 70.5 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 13.8 |
硬開關(guān)用NMOS 80N07的封裝外形尺寸圖: