-60V/-50A 國產(chǎn)MOS管型號 50P06 TO-220 插件低壓MOS MOSFET參數(shù)
國產(chǎn)MOS管型號 50P06的特點:
VDS=-60V
ID=-50A
RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V
封裝:TO-220
國產(chǎn)MOS管型號 50P06的用途:
電池保護
負載開關(guān)
UPS不間斷電源
國產(chǎn)MOS管型號 50P06的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-60V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:-50A
漏極電流-脈沖 IDM:-90A
單脈沖雪崩能量 EAS:101mJ
雪崩電流 IAS:45A
總耗散功率 PD:86.8W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:1.44℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
國產(chǎn)MOS管型號 50P06的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-18A | 13 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 29 | 35 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.8 | -3 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 25 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 6.7 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 3635 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 224 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 141 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 38 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 23.6 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 100 | |||
tf | 開啟下降時間 | 6.8 |