同步整流MOS管 80N06 TO-263 國產(chǎn)貼片MOS 60V/80A 國產(chǎn)大芯片
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的特點:
VDS=60V
ID=80A
RDS(ON)<12mΩ@VGS=10V
封裝:TO-263
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的用途:
消費電子電源電機(jī)控制
同步整流
同步整流應(yīng)用
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的極限值:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 43 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 272 | |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 104 | W |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.3 | ℃/W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 |
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=45A | 7.2 | 12 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=30A | 8.3 | 15 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.4 | 3 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 33 | 45 | nC | |
Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 21 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2680 | 3300 | pF | |
Coss | 輸出電容 | 260 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 180 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 43 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 47 | |||
tf | 開啟下降時間 | 80 |