大電流場效應管 80N06 TO-220 插件MOSFET 60VMOS管絲印
插件MOSFET 80N06的特點：
VDS=60V
ID=80A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
封裝：TO-220
插件MOSFET 80N06的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：80A
漏極電流-脈沖 IDM：272A
總耗散功率 PD：104W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.2℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
插件MOSFET 80N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=45A | 7.2 | 12 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=30A | 8.3 | 15 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.4 | 3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 33 | 45 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 21 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2680 | 3300 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 260 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 180 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 43 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 47 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 80 |
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