60V/3A場(chǎng)效應(yīng)管 3N06 SOT-23 電源管理MOS MOSFET引腳
電源管理MOS 3N06的特點(diǎn)：
VDS=60V
ID=3A
RDS(ON)＜100mΩ@VGS=10V
封裝：SOT-23
電源管理MOS 3N06的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 3 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 1.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 9.2 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 80 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
電源管理MOS 3N06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TA=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=2A | 80 | 100 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=1A | 85 | 110 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5 | 7 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.68 | 2.4 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.9 | 2.7 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 511 | 715 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 38 | 53 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 25 | 35 | ||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 1.6 | 3.2 | ns | |
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 7.2 | 13 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 25 | 50 | ||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 14.4 | 28.8 |
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