場(chǎng)效應(yīng)管選型 國產(chǎn)MOS管 12P04 TO-252 -40V/-12A 電池用低壓MOS
國產(chǎn)MOS管 12P04的特點(diǎn)：
VDS=-40V
ID=-12A
RDS(ON)＜40mΩ@VGS=-10V
封裝：TO-252
國產(chǎn)MOS管 12P04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -12 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -10 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -46 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 37 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -27.2 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 31.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
國產(chǎn)MOS管 12P04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -46 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-18A | 35 | 40 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 48 | 65 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.54 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1004 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 108 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 80 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 19.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 12.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 48.6 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 4.6 |
國產(chǎn)MOS管 12P04的封裝外形尺寸圖：
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