增強(qiáng)型PMOS 10P04 TO-252 場(chǎng)效應(yīng)管引腳圖 -40V/-10A 低壓MOSFET
增強(qiáng)型PMOS 10P04的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=-40V
ID=-10A
RDS(ON)＜65mΩ@VGS=-10V
封裝：TO-252
增強(qiáng)型PMOS 10P04的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS不間斷電源
增強(qiáng)型PMOS 10P04的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-10A
漏極電流-脈沖 IDM：-32A
單脈沖雪崩能量 EAS：21mJ
雪崩電流 IAS：-20.5A
總耗散功率 PD：25W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：5℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
增強(qiáng)型PMOS 10P04的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -47 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-8A | 60 | 65 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 85 | 100 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 620 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 69 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 52 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 13.2 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 40 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 3.5 |
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