國(guó)產(chǎn) 貼片小電流PMOS 8P04 SOP-8 手機(jī)快充MOS 場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格
手機(jī)快充MOS 8P04的管腳圖：
手機(jī)快充MOS 8P04的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
手機(jī)快充MOS 8P04的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | -8 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | -6.9 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -32 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 41 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -28.6 | A |
| PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 2.5 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 50 | ℃/W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
手機(jī)快充MOS 8P04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-5A | 32 | mΩ | ||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 46 | ||||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1415 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 134 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 102 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 22 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 15.7 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 59 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 5.5 |
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