150A場效應(yīng)管 150N04 TO-252 國產(chǎn)MOSFET 2.4mΩ 電源管理MOS
電源管理MOS 150N04的特點:
VDS=40V
ID=150A
RDS(ON)<2.4mΩ@VGS=10V
封裝:TO-252
電源管理MOS 150N04的用途:
電池保護
負載開關(guān)
UPS不間斷電源
電源管理MOS 150N04的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 150 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 90 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 450 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 400 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 40 | A |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 125 | W |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1 | ℃/W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 50 |
電源管理MOS 150N04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 2 | 2.3 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 2.7 | 3 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 45 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 18.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 3972 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 1119 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 82 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 18.5 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 9 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 58.5 | |||
tf | 開啟下降時間 | 32 |
電源管理MOS 150N04的封裝外形尺寸圖: