國產(chǎn)大電流NMOS 120N04 TO-220 負(fù)載用MOSFET 足芯片場效應(yīng)管
負(fù)載用MOSFET 120N04的用途:
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
負(fù)載用MOSFET 120N04的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:40V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:120A
漏極電流-脈沖 IDM:600A
單脈沖雪崩能量 EAS:272mJ
雪崩電流 IAS:33A
總耗散功率 PD:180W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJA:50℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJC:0.7℃/W
負(fù)載用MOSFET 120N04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 3 | 4 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.8 | 4 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | μA | ||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 80 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 17 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 21 | |||
Ciss | 輸入電容 | 4900 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 528 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 317 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 21 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 32 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 71 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 40 |