80N04 PDFN3X3-8L MOSFET引腳排列 80A大功率MOS 場效應(yīng)管工作原理
80A大功率MOS 80N04的引腳排列圖：
80A大功率MOS 80N04的特點(diǎn)：
VDS=40V
ID=80A
RDS(ON)＜6.5mΩ@VGS=10V
封裝：PDFN3X3-8L
80A大功率MOS 80N04的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：80A
漏極電流-脈沖 IDM：150A
單脈沖雪崩能量 EAS：110.5mJ
雪崩電流 IAS：47A
總耗散功率 PD：52.1W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.4℃/W
80A大功率MOS 80N04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A | 4.8 | 6.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=12A | 7.2 | 9 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1. | 2.5 | V | |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 28 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.85 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 12.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3354 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 275 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 204 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 20.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 11.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 84.8 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 8.6 |
80A大功率MOS 80N04的參數(shù)特性曲線圖：
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