68A國產(chǎn)低壓MOS 68N04 PDFN5X6-8L 功率MOS管參數(shù) 8.5mΩMOS管
68A國產(chǎn)低壓MOS 68N04的特點:
VDS=40V
ID=68A
RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V
封裝:PDFN5X6-8L
68A國產(chǎn)低壓MOS 68N04的用途:
電池保護
負載開關(guān)
UPS不間斷電源
68A國產(chǎn)低壓MOS 68N04的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:40V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:68A
漏極電流-脈沖 IDM:125A
單脈沖雪崩能量 EAS:31mJ
雪崩電流 IAS:31A
總耗散功率 PD:1.67W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:30℃/W
68A國產(chǎn)低壓MOS 68N04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 47 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=12A | 6.9 | 8.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10.5 | 15 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 5.8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.2 | |||
Ciss | 輸入電容 | 690 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 193 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 14.3 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 5.6 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 20 | |||
tf | 開啟下降時間 | 11 |