40VN型MOSFET 50N04 TO-252 17mΩ低內(nèi)阻MOS 電源用 足芯片
40VN型MOSFET 50N04的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
40VN型MOSFET 50N04的特點(diǎn)：
VDS=40V
ID=50A
RDS(ON)＜17mΩ@VGS=10V
封裝：TO-252
40VN型MOSFET 50N04的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：50A
漏極電流-脈沖 IDM：85A
單脈沖雪崩能量 EAS：31.3mJ
雪崩電流 IAS：25A
總耗散功率 PD：31.3W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：65℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：3℃/W
40VN型MOSFET 50N04的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A | 13.5 | 17 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 18.4 | 24 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 10 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.55 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1013 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 107 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 76 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 2.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 12.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 21.2 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 6.4 |
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