負(fù)載開關(guān)用NMOS 5N10 SOT-23-3L 國產(chǎn)5A/100V 大功率MOSFET
負(fù)載開關(guān)用NMOS 5N10的特點(diǎn):
VDS=100V
ID=5A
RDS(ON)<125mΩ@VGS=10V
封裝:SOT-23-3L
負(fù)載開關(guān)用NMOS 5N10的用途:
鋰電保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
負(fù)載開關(guān)用NMOS 5N10的管腳圖:
負(fù)載開關(guān)用NMOS 5N10的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:5A
漏極電流-脈沖 IDM:20A
總耗散功率 PD:1.5W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
負(fù)載開關(guān)用NMOS 5N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 107 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 105 | 125 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=8A | 125 | 135 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | uA | ||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 12 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 610 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 40 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 25 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 7 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 5 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 16 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 6 |
負(fù)載開關(guān)用NMOS 5N10的封裝外形尺寸圖: