常用低壓MOS管 30P03 PDFN3X3-8L 手機(jī)快充MOS MOS管30P03
手機(jī)快充MOS 30P03的引腳圖：
手機(jī)快充MOS 30P03的特點(diǎn)：
VDS=-30V
ID=-30A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-10V
封裝：PDFN3X3-8L
手機(jī)快充MOS 30P03的應(yīng)用：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
手機(jī)快充MOS 30P03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±25 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | -32 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -65 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 72.2 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -38 | A |
| PD | 總耗散功率 | 29 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4.32 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
手機(jī)快充MOS 30P03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 15.5 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 20.5 | 28 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1 | -1.4 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 19 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1345 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 194 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 158 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 4.4 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 11.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 34 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 18 |
手機(jī)快充MOS 30P03的封裝外形尺寸圖：
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