國產(chǎn)-12V場效應(yīng)管 2313 SOT-23-3L 貼片PMOS 手機(jī)快充MOS管
國產(chǎn)-12V場效應(yīng)管 2313的特點(diǎn):
VDS=-12V
ID=-8A
RDS(ON)<20mΩ@VGS=4.5V
封裝:SOT-23-3L
國產(chǎn)-12V場效應(yīng)管 2313的應(yīng)用領(lǐng)域:
手機(jī)快充
鋰電池保護(hù)
國產(chǎn)-12V場效應(yīng)管 2313的管腳排列圖:
國產(chǎn)-12V場效應(yīng)管 2313的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-12V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續(xù) ID:-8A
漏極電流-脈沖 IDM:-40A
總耗散功率 PD:1W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:125℃/W
國產(chǎn)-12V場效應(yīng)管 2313的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -12 | -16 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 16 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-5A | 20 | 25 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.7 | -1 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 35 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 10 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2700 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 680 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 590 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 11 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 35 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 30 | |||
tf | 開啟下降時間 | 10 |
國產(chǎn)-12V場效應(yīng)管 2313的封裝外形尺寸圖: