國產(chǎn)PMOS替換 8P01 SOT-23-3L 場效應(yīng)管型號 MOS管8P01
國產(chǎn)PMOS替換 8P01的管腳圖:
國產(chǎn)PMOS替換 8P01的應(yīng)用:
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
國產(chǎn)PMOS替換 8P01的極限值:
(如無特殊說明,TA=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | -18 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | -8 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | -32 | |
PD | 總耗散功率 | 1.2 | W |
TJ,TSTG | 工作結(jié)溫和存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
國產(chǎn)PMOS替換 8P01的電特性:
(如無特殊說明,TA=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -15 | -18 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 15.4 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-6A | 20.7 | 28 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.68 | -1.2 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 | -1 | μA | ||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 35 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 10 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2700 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 680 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 590 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 11 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 35 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 30 | |||
tf | 開啟下降時間 | 10 |
國產(chǎn)PMOS替換 8P01的封裝外形尺寸: