20V低壓NMOS 2302 SOT-23 電池保護(hù)用MOS 高性能場(chǎng)效應(yīng)管
20V低壓NMOS 2302的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
20V低壓NMOS 2302的引腳圖:
20V低壓NMOS 2302的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:20V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續(xù) ID:4.2A
漏極電流-脈沖 IDM:14.4A
總耗散功率 PD:1W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:125℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W
20V低壓NMOS 2302的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 24 | 32 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=2A | 29 | 38 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 4.6 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 0.7 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 310 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 49 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 35 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 1.6 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 42 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 14 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 7 |
20V低壓NMOS 2302的封裝外形尺寸圖: