低內(nèi)阻MOS管 3415 SOT-23 功率器件PMOS MOS管3415
低內(nèi)阻MOS管 3415的特點：
VDS=-20V
ID=-4.2A
RDS(ON)＜37mΩ@VGS=-4.5V
轉(zhuǎn)為PWM、負載開關和通用應用而設計
低導通電阻和低柵極電荷
低內(nèi)阻MOS管 3415的引腳排列圖：
低內(nèi)阻MOS管 3415的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±8 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -4.2 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=70℃ | -2.4 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -30 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 1.4 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 90 | ℃/W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
低內(nèi)阻MOS管 3415的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 37 | 43 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-4A | 45 | 54 | |||
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-1.8V,ID=-2A | 56 | 73 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.3 | -1 | V | |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V | -1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 TJ=125℃ | -50 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 VGS=±8V | ±10 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 10 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 0.77 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 939 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 130 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 111 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 8.6 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 29 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 13 |
低內(nèi)阻MOS管 3415的封裝外形尺寸圖：
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