20V增強(qiáng)型PMOS 70P02 TO-252 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 負(fù)載開(kāi)關(guān)用MOS
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 70P02的引腳圖：
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 70P02的特點(diǎn)：
VDS=-20V
ID=-70A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=-4.5V
封裝：TO-252
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 70P02的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 70P02的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -70 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=70℃ | -40 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -210 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 2.5 | W |
| 總耗散功率 TC=70℃ | 1.6 | ||
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.1 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 70P02的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 6.5 | 9 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-10A | 8.2 | 11 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -0.3 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 43 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 63 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 9.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5783 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 509 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 431 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 15.8 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 76.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 193 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 186.4 |
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