小封裝PMOS 20P02 PDFN3X3-8L 20V國產(chǎn)替代MOS 場效應(yīng)管參數(shù)資料
小封裝PMOS 20P02的管腳排列圖：
小封裝PMOS 20P02的特點(diǎn)：
VDS=-20V
ID=-20A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=-10V
封裝：PDFN3X3-8L
小封裝PMOS 20P02的極限值：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±8 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -20 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=70℃ | -18 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -100 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 29 | W |
| 總耗散功率 TC=70℃ | 19 | ||
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 40 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4.2 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
小封裝PMOS 20P02的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -24 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 6.5 | 9 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-8A | 8.7 | 11.5 | |||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-1.8V,ID=-6A | 13 | 15 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.3 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 43 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 63 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 9.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5783 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 509 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 431 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 15.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 76.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 193 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 186.4 |
小封裝PMOS 20P02的封裝外形尺寸圖：
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